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Comptek Solutions：
开创化合物半导体钝化新纪元

作为一家总部位于芬兰的半导体深科技解决方案提供商，Comptek Solutions专注于解决化合物半导体器件（如激光器、微 LED，以及功率和射频晶体管）中的氧化问题，有效提升半导体晶片表面和界面质量，从而降低制造成本。

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我们的创新量子技术Kontrox  ，专为III-V族化合物半导体材料设计，能够促进表面晶体氧化物的重构，大幅降低表面缺陷密度，同时保持高度热力学稳定性。此技术不仅简化制造工艺，还显著提升器件性能，已被验证可将微 LED 的效率提高至 250%。

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Kontrox 技术可为多种 III-V 族半导体材料和器件类型提供高质量钝化，包括激光器、微 LED，以及功率和射频晶体管。除一般商业化材料外，我们的技术还适用于更广泛的材料和器件类型。欢迎联系我们，探讨针对您特定材料和器件类型的实施方案。

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III-V passivation - defected interface

Kontrox技术通过形成低能量结构，减少98%界面缺陷，提升热稳定性，避免氧化，显著提高成品率，广泛应用于光电、功率和射频领域。

*III-V族材料表面扫描隧道显微镜图像：

显示天然氧化物层与采用Comptek Solutions之Kontrox技术重构的晶体氧化物。

III-V passivation crystallin oxide

初始样品

Kontrox LOGO N.png

​Kontrox   激光应用 

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提升边缘发射激光面钝化效果

边缘发射激光二极管在前端面产生高光强，导致热量积聚和表面缺陷，最终可能引发灾难性光学镜面损伤（COMD）。传统钝化方法成本高且复杂，涉及在超高真空下切割激光条并使用保护层。​

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采用我们的Kontrox创新技术和Kontrox LASE 16全套钝化设备解决方案，激光条可在常规环境下切割，通过高精度等离子体清除表面杂质，创造最佳表面，配合我们独特的专利纳米工程方法，有效降低成本，提升性能，提供与领先方法相当的效果，帮助提高COMD功率阈值。

​Kontrox   侧壁应用 

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推进下一代显示器件革新

​Mesa侧壁缺陷是影响化合物半导体器件性能的关键因素，尤其在微LED、VCSEL、纳米线和光电探测器中。当这些结构暴露于氧气时，天然氧化物的形成会促使缺陷产生，影响器件效率。

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Comptek Solutions的Kontrox钝化技术，通过Kontrox工艺，能够产生低缺陷态密度的高质量钝化层，有效提升微LED、VCSEL等器件的效率和稳定性，解决了侧壁缺陷问题，拓展了其在显示和光电子领域的应用潜力。

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*Kontrox显著提升了最大亮度和功率效率

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​Kontrox   功率与射频晶体管应用 

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优化栅介质界面质量

Kontrox技术显著降低了半导体与栅介质界面处的表面缺陷态密度，从而提升了功率与射频晶体管的性能。由于化合物半导体基晶体管面临迅速氧化的挑战，确保高质量的半导体-介质界面变得尤为困难。Kontrox技术通过创新的钝化工艺，有效解决了这一问题，推动了晶体管在高效能应用中的表现。

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以Kontrox   驱动的
全套钝化技术解决方案

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作为我们的全套钝化技术解决方案的一部分，Comptek Solutions提供最先进的半导体晶片处理设备，专为实施符合最高行业标准的Kontrox钝化工艺而设计。我们与顶尖半导体设备制造商合作，确保提供卓越的质量、及时的交付和全面的技术支持。

我们的高精度、可靠设备旨在满足客户需求，确保Kontrox钝化技术顺利融入生产线，并推动您的业务增长。

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